核心提示：　　哈爾濱京青電氣有限公司得到了很大的進(jìn)步。而納米電子器件與納米電子技術(shù)也在高科技領(lǐng)域的發(fā)展中做出了巨大的貢獻(xiàn)。然而在納米電子器件與納米電子技術(shù)的發(fā)展過程中還有許多方面存在著一定的缺點(diǎn)和不足，因此力t

　　哈爾濱京青電氣有限公司得到了很大的進(jìn)步。而納米電子器件與納米電子技術(shù)也在高科技領(lǐng)域的發(fā)展中做出了巨大的貢獻(xiàn)。然而在納米電子器件與納米電子技術(shù)的發(fā)展過程中還有許多方面存在著一定的缺點(diǎn)和不足，因此力t于納米電子器件與納米電子技術(shù)的研究具有十分重要的意義。本文主要對(duì)納米電子器件與納米電子技術(shù)進(jìn)行了一定的闡述，分析了納米電子器件的制備技術(shù)并對(duì)納米電子技術(shù)的前景進(jìn)行了一定的展望，旨在為提高納米電子器件與納米電子技術(shù)在我國社會(huì)發(fā)展中的運(yùn)用而提供一些有價(jià)值的意見。

　　納米技術(shù)在我國科學(xué)技術(shù)的發(fā)展下，得到了很好的發(fā)展并且在其發(fā)展過程中通過與電子產(chǎn)品的結(jié)合，出現(xiàn)了納米電子技術(shù)，同時(shí)這一技術(shù)的研究和發(fā)展也得到了國家的重視。我國納米技術(shù)領(lǐng)域在納米電子技術(shù)方面雖然有了一定的研究并且納米電子器件的出現(xiàn)，也為電子產(chǎn)品領(lǐng)域的發(fā)展做出了很大的貢獻(xiàn)。但是著社會(huì)發(fā)展的需要觀有的對(duì)納米電子技術(shù)的研究已經(jīng)越來越不能滿足社會(huì)對(duì)電子領(lǐng)域發(fā)展的需求。因此在今后的納米技術(shù)的發(fā)展中，要加強(qiáng)對(duì)納米電子技術(shù)的研究，從而研究出更多更好的，能夠促進(jìn)社會(huì)發(fā)展進(jìn)步的納米電子器件進(jìn)而為我國社會(huì)的發(fā)展和進(jìn)步做出巨大的貢獻(xiàn)。

　　納米電子器件與納米電子技術(shù)納米技術(shù)雖然是一種高端技術(shù)，但是納米技術(shù)的出現(xiàn)卻讓人們對(duì)世界有了更多更新的認(rèn)識(shí)。納米技術(shù)的出現(xiàn)以及應(yīng)用為我們的生活提供了更大的便利，如納米技術(shù)在半導(dǎo)體、在微電子等多個(gè)方面的應(yīng)用都使得我國在多個(gè)領(lǐng)域的發(fā)展上得到了質(zhì)的改變。然而這些發(fā)展以及改變都離不納米電子器件與納米電子技術(shù)的有效結(jié)合。

　　納米電子器件指利用納米級(jí)加工和制備技術(shù)。如光刻、外延、微細(xì)加工、自組裝生長及分子合成技術(shù)等，設(shè)計(jì)制備而成的具有納米級(jí)度和特定功能的電子器件。目前，人們利用納米電子材料和納米光刻技術(shù)，已研制出許多納米電子器件，如電子共搌隧穿器件r共振二極管RTD、三極共搌隧穿晶體管F11T0、單電子晶體管fSE、金屬基SET、半導(dǎo)體等。

　　所謂的納米電子技術(shù)從本質(zhì)上來講是一種比較高端的電子技術(shù)具體來講該技術(shù)就是在納米的尺寸內(nèi)建立出一個(gè)納米的集成電路，這樣做的目的就是為了實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算機(jī)一級(jí)相關(guān)的通信系統(tǒng)方面的技術(shù)。但是，就目前對(duì)納米電子技術(shù)研究的現(xiàn)狀來講，內(nèi)米電子器件是高技術(shù)在未來幾年里發(fā)展的一個(gè)重點(diǎn)。

　　納米電子器件的制備技術(shù)上述可知，無論是納米電子器件還是納米電子技術(shù)都是十分復(fù)雜的。因而對(duì)于納米電子器件與納米電子技術(shù)的研究具有很大的困難尤其是納米電子器件的制備技術(shù)其難度系數(shù)更是非比一般。本文在此對(duì)納米電子器件的制備技術(shù)進(jìn)行了簡單的探索，希望能夠?yàn)槲覈{米電子技術(shù)的發(fā)展，以及納米電子器件的制備提供一些借鑒和。

　　光學(xué)光刻、電子束光刻與離子束光刻技術(shù)統(tǒng)稱三束光刻技術(shù)，是通過掩模、曝光等工藝將設(shè)計(jì)的器件圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體基片上的加工技術(shù)。目前腿著光刻技術(shù)線寬的不斷減小。光學(xué)光刻、電子束光刻與離子束光刻技術(shù)已在納米CMOS器件、納米集成電路、納米CMOS混合電路等加工領(lǐng)域表現(xiàn)出了很好的應(yīng)用前景。

　　金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀、分子束外延、原子層外延與化學(xué)束外延技術(shù)統(tǒng)稱外延技術(shù)，是在基體上生長納米薄膜的一種納米制造技術(shù)?？捎糜诩{米集成電路用硅基半導(dǎo)體材料。于可滿足低電壓、低功率、高速度、抗輻射等電路要求，已開始應(yīng)用于各種微納電子器件和集成電路MBE、MOCVD、ALE等外延技術(shù)能夠滿足設(shè)計(jì)精度要求延層組分、厚度、摻雜濃度和電學(xué)均勻性等。

　　2.3分子自組裝合成技術(shù)除了光刻技術(shù)以及外延技術(shù)以外/分子自組裝合技術(shù)也是納米電子器件制備技術(shù)中的重要技術(shù)。該技術(shù)的技術(shù)原理來源于八十年代提出的分子器件的概念。到現(xiàn)在為止內(nèi)米電子技術(shù)的研究人員已經(jīng)將該技術(shù)發(fā)展成為了當(dāng)下十分受關(guān)注的分子自組裝合成技術(shù)。

　　納米電子技術(shù)的前景從目前的納米電子技術(shù)發(fā)展的形勢(shì)來看內(nèi)米電子技術(shù)的發(fā)展以及應(yīng)用在很大層度上改變了科技發(fā)展的多個(gè)方面并且促進(jìn)了社會(huì)的發(fā)展。而事實(shí)上，對(duì)于納米電子技術(shù)的發(fā)展，就當(dāng)前來講還處在初級(jí)階段S而米電子還有很大的開發(fā)潛能并且其技術(shù)的發(fā)展不可估量。

　　要想研究納米電子技術(shù)，就筆者考來首先就應(yīng)該研究納米硅薄膜。硅是納米電子技術(shù)中最為重要的物理器件之一，也就是它可以做成納米電子技術(shù)所需要的硅薄膜，所以，在納米電子技術(shù)中，0發(fā)揮著不可忽視的重要作用。與此同時(shí)，娃的產(chǎn)量比較大，所以可以滿足納米電子技術(shù)的相關(guān)需求。

　　除了納米硅薄膜技術(shù)的發(fā)展外，納米生物電子學(xué)技術(shù)也是納米電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，更會(huì)成為納米電子技術(shù)未來發(fā)展的焦點(diǎn)。所謂的納米生物電子學(xué)技術(shù)指的就是利用該技術(shù)并與生物芯片結(jié)合，從而研制出新型的納米機(jī)器人。這種機(jī)器人的最大特點(diǎn)就是有利于人類身體健康的保護(hù)。所以，納米生物電子學(xué)會(huì)成為納米電子技術(shù)的驕傲。

　　以上僅僅只是對(duì)納米電子器件與納米電子技術(shù)幾個(gè)方面的探討。然而內(nèi)米電子器件與納米電子技術(shù)屬于比較高端的科學(xué)技術(shù)，其涉及的內(nèi)容更是復(fù)雜。而僅僅憑借以上對(duì)納米電子技術(shù)幾個(gè)方面的探索是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。因此3寸于納米電子器件與納米電子技術(shù)的研究還需要該領(lǐng)域?qū)I(yè)人士的進(jìn)一步研究和探索。

　　結(jié)語綜上所述見米電子技術(shù)以及納米電子器件對(duì)于我國科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及進(jìn)步有著不可忽視的重要作用。然而3寸于納米電子技術(shù)，尤其是納米電子器件的研究都比較復(fù)雜同時(shí)我國該領(lǐng)域?qū)τ谶@兩個(gè)方面的研究還沒有達(dá)到一定的深度和廣度0而，嚴(yán)重的影響了我國納米電子器件以及納米電子技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步。所以我國納米技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的研究人員要不斷的加強(qiáng)對(duì)納米電子技術(shù)與納米電子器件的重視并且從納米電子技術(shù)的多個(gè)方面從納米電子器件的多個(gè)角度進(jìn)行研究和分析，從而研究出能夠促進(jìn)納米電子技術(shù)發(fā)展，促進(jìn)電力領(lǐng)域進(jìn)步的技術(shù)進(jìn)而促進(jìn)我國社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和進(jìn)步在更大層度上加強(qiáng)我國的科技實(shí)力。

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