對(duì)于器件的用戶來講，抗靜電能力高的器件總比抗靜電能力低的器件受歡迎。但隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，采用了按比例縮小的設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)體積小、重量輕、功耗小、集成度高，解決器件的高性能、高可靠、低投入、高產(chǎn)出、快周轉(zhuǎn)等方面的優(yōu)勢(shì)。在制造工藝中普遍采用了淺結(jié)、薄氧化層等一系列的微細(xì)加工技術(shù)，器件的抗靜電能力越來越差。

        器件的抗靜電能力又因器件的設(shè)計(jì)、制造工藝而有所不同。比如，CMOS，與PMOS、NMOS器件比較，雖然抗靜電能力在同一數(shù)量級(jí)，但CMOS器件比PMOS、NMOS器件的抗靜電能力略高幾百伏。

        用戶提出抗靜電能力高的器件要求，在某種程度上來說，不太現(xiàn)實(shí)。第一，抗靜電能力高的器件在設(shè)計(jì)、制造工藝中比較復(fù)雜，成本較高。第二，抗靜電能力高的器件價(jià)格昂貴，整機(jī)成本上升。

        鑒于以上情況，建議設(shè)計(jì)整機(jī)時(shí)，在抗靜電能力低的敏感器件中的輸入/輸出端加一個(gè)防雷擊、防過壓、防靜電、抗干擾的一種瞬態(tài)電壓抑制電路（TVS），可有效地提高整機(jī)的抗靜電能力。瞬態(tài)電壓抑制電路在通訊、計(jì)算機(jī)、I/O端口、信號(hào)的輸入/輸出保護(hù)等其它高科技領(lǐng)域已獲得廣泛的應(yīng)用。

        瞬態(tài)電壓抑制電路（TVS）是一種高效能的保護(hù)器件。當(dāng)瞬態(tài)電壓保護(hù)二極管受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它以1×10－12s量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變成低阻抗。吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)了電子線路的敏感元件，免受各種浪涌脈沖的損傷。該器件具有響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、箝位電壓易控制、沒有損傷極限、體積小等優(yōu)點(diǎn)，在各個(gè)領(lǐng)域已得到廣泛的應(yīng)用。

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