核心提示： 　　　電壓擊穿是指半導(dǎo)體PN結(jié)或絕緣介質(zhì)層在過電壓下的擊穿。在現(xiàn)代VLSI電路中，柵氧化層厚度已薄到納米級(jí)，小到近百伏或幾十伏的靜電電壓，就足以使元器件失效或性能降低?！　∵^電壓的主要來源是摩擦電。當(dāng)一個(gè)人走進(jìn)房間或

　　電壓擊穿是指半導(dǎo)體PN結(jié)或絕緣介質(zhì)層在過電壓下的擊穿。在現(xiàn)代VLSI電路中，柵氧化層厚度已薄到納米級(jí)，小到近百伏或幾十伏的靜電電壓，就足以使元器件失效或性能降低。

　　過電壓的主要來源是摩擦電。當(dāng)一個(gè)人走進(jìn)房間或僅僅把集成電路從塑料封袋材料中取出，就可能產(chǎn)生15000—20000V的電壓，遠(yuǎn)超過靜電破壞電壓。以MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例，金屬鋁柵、絕緣介質(zhì)層SIO2，半導(dǎo)體N溝道，這樣的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個(gè)平板電容，電容量大約3PF。

　　當(dāng)鋁柵上出現(xiàn)靜電荷聚積時(shí)，由V=Q/C知，即使微量電荷，也會(huì)使電壓升得很高。而絕緣介質(zhì)層SIO2的耐壓值僅在100V左右，當(dāng)靜電電壓達(dá)到或超過耐壓值，氧化膜就會(huì)被擊穿，造成針孔而使柵溝相通，損傷器件，造成隱患，或使器件失效。

　　功率擊穿是指半導(dǎo)體PN結(jié)、絕緣介質(zhì)層、連接導(dǎo)線等在過電流下的擊穿，它與靜電放電脈沖形狀、持續(xù)時(shí)間和能量積累有關(guān)。靜電放電電流流過集成電路內(nèi)部引起PN結(jié)的溫度升高。

　　有的可能燒毀內(nèi)部連接導(dǎo)線或造成內(nèi)部連接導(dǎo)線變窄，有的引起合金化或造成金屬的擴(kuò)散，最終造成器件永久性的破壞或嚴(yán)重老化。電老化是最頭痛的“軟擊穿”，它在當(dāng)時(shí)并不能被發(fā)現(xiàn)，但在其后隨時(shí)可能出現(xiàn)失效，這時(shí)使用它的電子設(shè)備無疑會(huì)帶來極大的隱患。 　

 24小時(shí) 客戶服務(wù)熱線：如果您對(duì)創(chuàng)選寶防靜電橡膠墊產(chǎn)品感興趣，請(qǐng)點(diǎn)擊聯(lián)系創(chuàng)選寶官方網(wǎng)站右側(cè)的在線客服，或致電：400-606-9458，創(chuàng)選寶的專業(yè)工程師會(huì)為您提供專業(yè)建議。

---責(zé)任編輯：創(chuàng)選寶A

版權(quán)所有http://www.paf0.cn，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處