靜電能量是經(jīng)由傳導(dǎo)性能量轉(zhuǎn)移方式引入產(chǎn)品的電子組件內(nèi), 主要破壞力是瞬間峰值電流，電壓是引導(dǎo)放電作用的誘發(fā)位能，靜電開始時是經(jīng)由直接（電流）或間接輻射方式以快速的瞬時突波沖擊到電路組件上，這當中有電流熱效應(yīng)也有電磁場的干擾效應(yīng)。所以靜電對造成電子組件失效情況可概分三種情形，一、硬件失效(Hard failure)，二、潛在性失效(Latentfailure)，三、場強感應(yīng)失效 (Field induction failure)。

1、硬件失效問題： 靜電電弧電壓(Sparkvoltage)竄入半導(dǎo)體內(nèi)部使絕緣部位損壞，如在P-N接合點短路或開路，內(nèi)部絕緣的氧化層貫穿(punch-through)-金屬氧化處理部位產(chǎn)生熔蝕(melting)等，這都是屬于長久性失效。

       2、潛在性失效問題：當靜電發(fā)生時系統(tǒng)雖暫時受到影響，仍然可繼續(xù)動作，但功能會隨時間逐漸變差，隔數(shù)日或數(shù)周后系統(tǒng)出現(xiàn)異常，最后成為硬件失效。這是因為半導(dǎo)體組件已經(jīng)受到部分不可回復(fù)的損傷，隨著使用時間日增，異常功能自會逐漸顯現(xiàn)。這種失效是很難難捉模，無法以失效模式分析確認。

       3、感應(yīng)場強失效問題：當靜電的高壓放電火花跟電流會對產(chǎn)生電場輻射效應(yīng)，這種寬帶的輻射，經(jīng)常使臨近的電路受干擾而失常，如Latch-Up 或暫時性程序錯亂，及數(shù)據(jù)流失等，嚴重時更會損傷硬件成為長久行硬件失效。