上一篇總結(jié)了靜電在IC封裝、生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的原因，這里再分析下靜電對IC的危害性?！　?/p>

        一般來說，靜電具有高電位、強電場的特點，在靜電起電-放電過程中，有時會形成瞬態(tài)大電流放電和電磁脈沖(EMP)，產(chǎn)生頻譜很寬的電磁輻射場。另外，與常規(guī)電能量相比，靜電能量比較小，在自然起電-放電過程中，靜電放電(ESD)參數(shù)是不可控制的，是一種難于重復(fù)的隨機過程，因此它的作用往往被人們所忽視。尤其在微電子技術(shù)領(lǐng)域，它給我們造成的危害卻是驚人的，據(jù)報道每年因靜電造成直接經(jīng)濟損失高達(dá)幾億元人民幣，靜電危害以成為發(fā)展微電子工業(yè)的重大障礙。

        在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)車間，由于塵埃吸附在芯片上，IC尤其是超大規(guī)模集成電路(VLSI)的成品率會大大下降。

        IC生產(chǎn)車間操作人員都穿潔凈工作服，若人體帶靜電，則極易吸附塵埃、污物等，若這些塵埃、污物被帶到操作現(xiàn)場的話，將影響產(chǎn)品質(zhì)量，惡化產(chǎn)品性能、大大降低Ic成品率。如果吸附的灰塵粒子的半徑大于100μm線條寬度約100μm時，薄膜厚度在50μm下時，則最易使產(chǎn)品報廢。

        而且靜電對IC的損害具有一定的特點。

        (1)隱蔽性

        除非發(fā)生靜電放電，人體不能直接感知靜電，但發(fā)生靜電放電人體也不一定能有電擊的感覺，這是因為人體感知的靜電放電電壓為2~3kv，所以靜電具有隱蔽性。

        (2)潛在性

        有些匯受到靜電損傷后的性能沒有明顯的下降，但多次累加放電會給IC器件造成內(nèi)傷而形成隱患。因此靜電對IC的損傷具有潛在性。

        (3)隨機性

        IC什么情況下會遭受靜電破壞呢?可以這么說，從一個IC芯片產(chǎn)生以后一直到它損壞以前，所有的過程都受到靜電的威脅，而這些靜電的產(chǎn)生也具有隨機性，其損壞也具有隨機性。

         (4)復(fù)雜性

        靜電放電損傷的失效分析工作，因微電子IC產(chǎn)品的精、細(xì)、微小的結(jié)構(gòu)特點而費時、費事、費財，要求較高的技術(shù)并往往需要使用高度精密儀器，即使如此，有些靜電損傷現(xiàn)象也難以與其它原因造成的損傷加以區(qū)別；使人誤把靜電放電損傷的失效當(dāng)作其它失效，這在對靜電放電損害未充分認(rèn)識之前，常常歸因于早期失效或情況不明的失效，從而不自覺地掩蓋了失效的真正原因。所以分析靜電對IC的損傷具有復(fù)雜性。

        總而言之，在IC的加工生產(chǎn)和封裝過程中建立起靜電防護(hù)系統(tǒng)是很有必要的!

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